三代半导体材料助功率半导体突破,氮化镓创新获奖

  • 2022/1/22 1:51:00

>$图片来源:图书馆本文不构成任何投资和财务建议。最近,在第二届全国创新奖表彰奖励会议上,三代半导体(氮化镓)创新团队等10个团队获得了全国创新奖!这充分展示了国家对第三代半导体材料研发的重视,以及氮化镓在我国已经获得较大的突破。先进半导体材料已上升至国家战略层面,2025年目标渗透率超过50%。底层材料与技术是半导体发展的基础科学,在2025中国制造中,分别对第三代半导体单晶衬底、光电子器件/模块、电力电子器件/模块、射频器件/模块 等细分领域做出了目标规划。在任务目标中提到 2025年实现在5G通信和高效 能源管理的定位率达到 50%;在新能源汽车和消费电子汽车中实现大规模应用, 在通用照明市场的渗透率达到 80%以上。在两会上,民进中央建议进一步完善电力半导体产业发展政策;将电力半导体新材料的研发纳入国家计划,全面部署,努力抓住战略制高点,尽快实现电力半导体芯片的独立供应。电力半导体下游细分带动需求爆炸式增长,将带动第三代半导体材料的应用。未来,功率半导体将呈现高性能、高增长、高集中的 发展趋势,推动第三代半导体材料的应用需求,主要原因如下:1) 下游新兴产业增长明显;2)自给自足率仍较低,替代空间巨大;3)未来集中产品碎片化将得到改善, 等高端产品IGBT、MOSFET 产品性能和技术壁垒 同时提高,下游对高端产品的依赖程度将增加。动力半导体市场规模较大。在 高性能的驱动下,预计新型半导体衬底材料的渗透率将进一步提高。以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体材料具有很大的性能优势。第三代半导体材料指的是间隙宽度明显大于 Si 宽禁带半导体材料主要包括 SiC、GaN、 金刚石等。由于其禁带宽度大于或等于2.电子伏特,也被称为宽禁带半导体材料。与第一代和第二代半导体材料相比,第三代半导体材料具有导热性高、 击穿强、饱和电子漂移速率高、键合能高等优点,能够满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频、高辐射等恶劣条件的新要求。国内基站建设投资扩大。预计 2020年5月G预计新建基站将达到80多万个,其中大部分将以宏基站为主,小基站为辅组网。2023年 GaN RF 基站市场规模将达到5.年复合增长率22亿美元.8%!5G 用于宏基站PA2019年达到1843.预计2020年将达到7372万.8万,预计同比增长4倍。GaN 技术进步和规模化发展,GaN PA 渗透率预计将继续上升,预计到2023年市场渗透率将超过85%。国内新能源汽车市场现在是一个竞争激烈的时代。比亚迪、特斯拉甚至苹果也声称要生产电动汽车。据说这家工厂也建在中国。德国大众收购了国轩高科技50%的股份,进入了电动汽车行列,这不仅对中国的电动汽车产业链有很大的好处,而且对汽车和其他电子产品的需求也大大提高。中国是世界上最大的功率半导体消费市场,预计未来将保持快速发展。从增量来源的角度来看,由于下游新能源和汽车电子化程度的提高,功率半导体的应用领域已从工业控制和消费电子扩展到光伏、风电、智能电网、变频家电、新能源汽车等多个市场。下游新领域市场的发展是未来功率半导体增量的重要保证。第三代半导体材料的广泛应用得到了充分保证。氮化镓市场已经在市场上被炒作过一次,这是第一波纯主题炒作。现在,经过市场基金的研究和深入挖掘,将有一个趋势机会。当然,在资本决定趋势的情况下,上一波基金有可能再次参与,主要取决于人气的聚集速度。海特高科技:在第三代半导体(氮化镓 GaN) 领域拥有国际领先、国内一流的技术;全球氮化镓芯片专利技术属于一流的 梯队,公司拥有 249 项专利,其中一半以上为发明专利。5月29日,公司在互动平台上回答投资者的问题时表示,硅氮化镓突破了许多关键技术,成功开发了硅氮化镓技术,并大规模生产。三安光电:公司电力电子业务推出了高可靠性、高功率密度碳化硅功率二极管和 MOSFET 及硅基氮化镓功率设备,产品主要用于新能源汽车、充电桩、光 逆变器等电力市场;微波射频领域已建成专业、大规模的 4 英寸、6 英寸化合物晶 圆生产线,在电子电路领域推出了高可靠性、高功率密度 SiC 功率二极 管和硅基氮化镓功率装置。干照光电:除了中国最大的砷化镓生产外,最后一波资本集团攻击力度更大。这一次,关键取决于人气的聚集速度,密切关注能量放大和大单扫货速度。研究新材料:中国最大的砷化镓供应商。赛微电子:继续布局第三代半导体核心材料,成功开发8 英寸硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延晶圆台基股份:重要企业的功率半导体细分市场,跟踪研发Sic(碳化硅)和GaN(氮化镓)以第三代宽禁带半导体材料和设备技术为代表。更多,结合市场趋势,将再次出现资本集团的目标。随时结合市场的具体决策。图片和文本是在线转载的,版权属于原作者。这并不意味着这个公共账户的观点。如果涉及到作品的版权问题,请联系我们。我们将在第一时间协商版权问题或删除内容!原标题:《三代半导体材料助功率半导体突破,氮化镓创新获奖》

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